[发明专利]具有阶梯缓冲层结构的4H-SiC金属半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 201410587447.3 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104393047A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;张航;刑鼎 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有阶梯缓冲层结构的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，栅电极与源极帽层之间形成凹陷栅源漂移区，栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏漂移区，P型缓冲层的上端面靠近源极帽层处设有凹槽，凹槽内靠近漏极帽层一侧设有两个台阶。本发明具有击穿电压稳定，输出漏极电流高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阶梯 缓冲 结构 sic 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有阶梯缓冲层结构的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)的两侧分别为源极帽层(5)和漏极帽层(6)，源极帽层(5)和漏极帽层(6)表面分别是源电极(9)和漏电极(10)，N型沟道层(3)上方且靠近源极帽层(5)的一侧形成栅电极(4)，栅电极(4)与源极帽层(5)之间形成凹陷栅源漂移区(8)，栅电极(4)与漏极帽层(6)之间形成凹陷栅漏漂移区(7)，其特征在于：所述P型缓冲层(2)的上端面靠近源极帽层(5)处设有凹槽，凹槽内靠近漏极帽层(6)一侧设有两个台阶(11)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410587447.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
