[发明专利]一种生长氟代硼铍酸钾晶体的方法及其装置有效
| 申请号： | 201410587448.8 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104451859A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王文礼;班耀文;张薇;韩剑 | 申请（专利权）人： | 西安建筑科技大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/10 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 王彩花 |
| 地址： | 710055*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生长氟代硼铍酸钾晶体的方法及装置，将氟代硼铍酸钾籽晶浸入氟代硼铍酸钾晶体生长原料的熔体中，为氟代硼铍酸钾籽晶提供3.5×10-2～6.7×10-2Pa的压力及680～780℃温度进行晶体生长。通过减压系统降低化合物熔点，然后植入籽晶并精确控制其位相使得籽晶在限位片内沿最佳相位匹配方向实现快速定向生长，沿限位片壁生长的显露晶面即为具有最佳谐波转换效率的优选晶面，生长的晶体无须切割即可与限位片一并用作倍频器件。该方法为推进KBBF晶体作为激光倍频器件的广泛应用提供一种高效、实用的生长方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 氟代硼铍酸钾 晶体 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种生长氟代硼铍酸钾晶体的方法，其特征在于，将氟代硼铍酸钾籽晶浸入氟代硼铍酸钾晶体生长原料的熔体中，在3.5×10‑2～6.7×10‑2Pa的压力及680～780℃温度下进行晶体生长。
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