[发明专利]具有坡形栅极的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201410587502.9 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104282764B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;刑鼎;张航 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有坡形栅极的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，其自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，所述N型沟道层的上端面设置向源极帽层一侧倾斜的坡形槽，坡形槽内设有坡形栅极，坡形栅极的下端面与坡形槽相配合，坡形栅极的上端面与N型沟道层的上端面平行，所述坡形栅极与源极帽层之间距离小于坡形栅极与漏极帽层之间的距离。本发明的场效应晶体管具有漏极输出电流大、频率特性优良的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 sic 金属 半导体 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有坡形栅极的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)表面设有源极帽层(5)和漏极帽层(6)，源极帽层(5)和漏极帽层(6)表面分别设有源电极(7)和漏电极(8)，其特征在于：所述N型沟道层(3)的上端面设置向源极帽层(5)一侧倾斜的坡形槽(9)，坡形槽(9)内设有坡形栅极(4)，坡形栅极(4)的下端面与坡形槽(9)相配合，坡形栅极(4)的上端面与N型沟道层(3)的上端面平行，所述坡形栅极(4)与源极帽层(5)之间距离小于坡形栅极(4)与漏极帽层(6)之间的距离，所述坡形栅极(4)的长度为0.7μm，所述坡形栅极(4)与源极帽层(5)之间的最短距离为0.5μm。
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