[发明专利]一种在基材表面制备DLC薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201410587946.2 申请日: 2014-10-28
公开(公告)号: CN104278246A 公开(公告)日: 2015-01-14
发明(设计)人: 李慕勤;孙薇薇;吴明忠;马臣;吴俊杰;张德秋 申请(专利权)人: 佳木斯大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 侯静
地址: 154007 黑龙江省佳*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种在基材表面制备DLC薄膜的方法,它涉及一种DLC薄膜材料的制备方法。本发明目的是要解决现有方法制备的纯DLC薄膜具有较大的残余应力,且表面能高、表现出亲水性的问题。方法:一、表面处理;二、离子刻蚀清洗;三、制备金属过渡层和金属氮化物过渡层;四、制备DLC应力释放层;五、制备DLC疏水层,得到DLC疏水层-DLC应力释放层-金属氮化物过渡层-金属过渡层-基材,即完成在基材表面制备DLC薄膜;步骤五得到的DLC薄膜从下至上依次由金属过渡层、金属氮化物过渡层、DLC应力释放层和DLC疏水层。优点:本发明制备的DLC薄膜具有低应力性能和疏水性。本发明主要用于在基材表面制备DLC薄膜。
搜索关键词: 一种 基材 表面 制备 dlc 薄膜 方法
【主权项】:
一种在基材表面制备DLC薄膜的方法,其特征在于在基材表面制备DLC薄膜的方法是按以下步骤完成的:一、表面处理:先对基材进行砂纸逐级打磨并抛光处理,然后超声波清洗,得到清洗好的基材;二、离子刻蚀清洗:现有利用Ar离子对基材进行离子刻蚀清洗,再利用金属离子对基材进行离子刻蚀清洗,得到离子刻蚀清洗后基材;三、制备金属过渡层和金属氮化物过渡层:先利用磁控溅射方法在离子刻蚀清洗后基材表面制备金属过渡层,得到金属过渡层‑基材,然后利用磁控溅射方法在金属过渡层‑基材的金属过渡层上制备金属氮化物过渡层,得到金属氮化物过渡层‑金属过渡层‑基材;四、制备DLC应力释放层:利用高功率磁控溅射方法在金属氮化物过渡层‑金属过渡层‑基材的金属氮化物过渡层上制备DLC应力释放层,得到DLC应力释放层‑金属氮化物过渡层‑金属过渡层‑基材;五、制备DLC疏水层:利用高功率磁控溅射方法在DLC应力释放层‑金属氮化物过渡层‑金属过渡层‑基材的DLC应力释放层上制备DLC疏水层,得到DLC疏水层‑DLC应力释放层‑金属氮化物过渡层‑金属过渡层‑基材,即完成在基材表面制备DLC薄膜;步骤五得到的DLC薄膜从下至上依次由金属过渡层、金属氮化物过渡层、DLC应力释放层和DLC疏水层。
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