[发明专利]一种四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的制备方法在审
申请号: | 201410588052.5 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN105624791A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 刘锦峰;许桂生;杨丹凤;陈夏夏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B11/00;H01L41/41 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明涉及一种四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶的制备方法,所述四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶的组成化学式为(1‑ |
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搜索关键词: | 一种 四方 相钛镁酸铋 钛酸铅基 压电 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的制备方法,其特征在于,所述四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的组成化学式为(1-x )Bi(Mg1/2 Ti1/2 )O3 -x PbTiO3 ,其中0.50≦x ≦0.90,所述制备方法包括:1)按所述四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的组成化学式称取MgO、TiO2 、Bi2 O3 和铅的氧化物,混合均匀后得到晶体生长用起始料;2)将步骤1)制备的晶体生长用起始料和籽晶置于坩埚中放入下降炉内,先在800~1200℃下保温8~12小时,然后升温至1300~1450℃保温4~12小时,再将坩埚以0.3~0.8mm/小时速度下降,生长界面的温度梯度为20~80℃/cm;3)将步骤2)中生长完毕的晶体,以10~300℃/小时的速度冷却到室温,得到所述四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶,所述四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的居里温度高于480℃,常温压电常数为160-300pC/N。
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