[发明专利]适用于高温领域的四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶及其制备方法在审
| 申请号： | 201410588236.1 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105624784A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘锦峰;许桂生;杨丹凤;陈夏夏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/02;C30B15/36 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于高温领域的四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶及其制备方法，所述四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的组成化学式为(1-x)Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-xPbTiO3，所述制备方法包括：1）称取MgO、TiO2、Bi2O3和铅的氧化物作为单晶组成原料，并称取助熔剂，将单晶组成原料和助溶剂混合后得到晶体生长用起始料；2）将晶体生长用起始料熔融后调整到饱和温度以上恒温；3）采用顶部籽晶法生长晶体；4）将晶体提出液面，降温退火至室温，得到所述四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 高温 领域 四方 相钛镁酸铋 钛酸铅基 压电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶的制备方法，其特征在于，所述四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶的组成化学式为(1‑x)Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 ‑xPbTiO3，其中，0.50≦x≦0.90，所述制备方法包括：1）按所述四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶的组成化学式称取MgO、TiO2、Bi2O3和铅的氧化物作为单晶组成原料，并称取助熔剂，将单晶组成原料和助溶剂混合后得到晶体生长用起始料，其中，助熔剂质量为总原料质量的20‑80%； 2）将步骤1）制备的晶体生长用起始料在900‑1350℃下熔融后调整到饱和温度以上，恒温6‑20小时；3）采用顶部籽晶法生长晶体：用籽晶找到生长点，在900‑1300℃的温度下进行晶体生长，温度梯度为0.2‑5℃/cm，籽晶转速为5‑30rpm，提拉速度≦8mm/天，降温速率为0.2‑5℃/天；4）将步骤3）制备的晶体提出液面，以10‑100℃/小时的速度降温退火至室温，得到所述四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶。
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