[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有突起的鳍部；形成覆盖鳍部的侧壁和顶部表面的牺牲层，所述牺牲层包括位于鳍部的侧壁和顶部表面上的第一氧化硅层、位于第一氧化硅层表面的无定形硅层、位于无定形硅层表面的第二氧化硅层；对所述鳍部进行离子注入，在所述鳍部中注入杂质离子，形成阱区；去除所述牺牲层。本发明的方法，在防止鳍部离子注入损伤的同时，防止去除牺牲层时对鳍部的刻蚀损伤。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底上形成有若干第一鳍部，所述第二区域的半导体衬底上形成有若干第二鳍部；形成覆盖第一鳍部和第二鳍部的侧壁和顶部表面的牺牲层，所述牺牲层包括位于第一鳍部和第二鳍部的侧壁和顶部表面上的第一氧化硅层、位于第一氧化硅层表面的无定形硅层、位于无定形硅层表面的第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的厚度为10～20埃，所述第二氧化硅层的厚度为10～15埃，所述无定形硅层的厚度为20～50埃；形成覆盖所述第一区域上的牺牲层表面的第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，对第二区域的第二鳍部进行离子注入，在所述第二鳍部中注入第一类型的杂质离子，形成第二阱区；去除所述第一掩膜层；形成覆盖第二区域上的牺牲层表面的第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜，对第一区域的第一鳍部进行离子注入，在所述第一鳍部中注入第二类型的杂质离子，形成第一阱区，第二类型的杂质离子与第一类型的杂质离子的类型相反；去除所述第二掩膜层和牺牲层。