[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410589701.3 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104576712B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L21/18 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘灿强;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V‑坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V‑坑；以及活性层，插入在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，V‑坑穿过活性层，其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V‑坑的起点的V‑坑产生层。半导体装置包括具有大尺寸和高密度的V‑坑，从而有效地防止由于静电放电导致的对半导体装置的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：/n第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；/nV-坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；/n第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V-坑；以及/n活性层，插入在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，V-坑穿过活性层，/n其中，第一上导电型半导体层包括包含V-坑的起点的V-坑产生层，/n其中，第一上导电型半导体层还包括设置在V-坑产生层与活性层之间的超晶格层，/n其中，第一上导电型半导体层还包括插入在V-坑产生层和超晶格层之间的低温生长掺杂层，/n其中，超晶格层的晶格常数大于V-坑产生层的晶格常数并且小于活性层的晶格常数，/n其中，V-坑具有100nm与200nm之间的尺寸。/n
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