[发明专利]一种基于N型掺杂的飞秒激光加工半导体的方法无效
| 申请号： | 201410589883.4 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104384722A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 姜澜;房巨强;曹强;余彦武;王青松 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362;B23K26/402;B23K26/066 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于N型掺杂的飞秒激光加工半导体的方法，属于激光应用领域。所述方法包括：1)确定待加工半导体材料的加工区域，使用掩模覆盖住待加工区域的剩余部分；2)对待加工区域进行N型掺杂；N型掺杂的杂质为五价元素，N型掺杂的浓度要大于1018cm-3；3)去除掩模，采用飞秒激光加工方法于待加工半导体材料的掺杂区域进行加工。本发明通过在半导体中选择性N型掺杂五价元素，局部提升了材料的自由电子密度，与传统的激光加工方法相比，能够实现对材料的高效率及选择性加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 激光 加工 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种基于N型掺杂的飞秒激光加工半导体的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：1)确定待加工半导体材料的加工区域，使用掩模覆盖住待加工区域的剩余部分；2)对待加工区域进行N型掺杂；N型掺杂的杂质为五价元素，N型掺杂的浓度要大于1018cm‑3；3)去除掩模，采用飞秒激光加工方法于待加工半导体材料的掺杂区域进行加工。
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