[发明专利]一种形成倒金字塔状倒装蓝光LED芯片的方法

摘要

一种形成倒金字塔状倒装蓝光LED芯片的方法，包括以下步骤：（1）将通过在蓝宝石衬底上生长氮化镓层所形成的LED晶圆片减薄；（2）进行第一阶段划片，采用同轴多焦点透镜作为激光聚焦透镜所产生的连续激光在晶圆片的蓝宝石衬底一面纵向和横向划出与晶圆片表面垂直方向呈15-35度的倾斜面；（3）在氮化镓层表面生长保护膜；（4）将侧壁平滑化；（5）进行管芯制备；（6）进行第二阶段划片，采用单焦点激光在蓝宝石衬底一面，沿与晶圆表面垂直的切割轨迹划片，然后进行裂片，获得倒金字塔状倒装蓝光LED芯片。该方法能一次完成倒梯状倾斜面的形成，无需多次来回运动，生产周期短、成本低廉，保证了晶圆片的最低裂片率，提高芯片产出率，适合规模化生产。

主权项

一种形成倒金字塔状倒装蓝光LED芯片的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）将通过在蓝宝石衬底上生长氮化镓层所形成的LED晶圆片减薄到400‑200微米；（2）进行第一阶段激光划片，进行第一阶段激光划片，采用同轴多焦点透镜作为激光聚焦透镜所产生的连续激光，在晶圆片的蓝宝石衬底一面纵向和横向划出与晶圆片表面垂直方向呈15‑35度的倾斜面，倾斜面的深度为100‑200微米，没有被激光划过晶圆片厚度为预留厚度；（3）在氮化镓层的表面生长二氧化硅保护膜；（4）高温腐蚀，将侧壁平滑化；（5）在氮化镓层上生长制备电流扩展层、电极层和钝化层并进行管芯制备；（6）进行第二阶段激光划片，采用单焦点激光蓝宝石衬底一面，沿与晶圆表面垂直的切割轨迹划片，然后进行裂片，将晶圆片最终分离成独立的芯片，获得倒金字塔状倒装蓝光LED芯片。