[发明专利]P型HIT太阳能电池结构

摘要

本发明提供一种P型HIT太阳能电池结构，采用石墨烯薄膜作为HIT太阳能电池的窗口层可以在保证光的透过率及其的高的导电率的同时可以降低载流子在n-a-Si与透明导电薄膜层的势垒，同时由于石墨烯薄膜高的透移率和导电性，从而提高电池的短路电流密度，提高效率。

主权项

一种P型HIT太阳能电池结构：包括P型单晶硅片(1)、P型单晶硅片(1)正反面沉积本征非晶硅膜(2)，在正面的本征非晶硅薄膜(2)上依次沉积N型重掺杂非晶硅膜(3)、SiO2薄膜(5)和N型掺杂石墨烯薄膜(7)，在正面N型石墨烯薄膜(7)上印刷银金属栅线正电极(9)；在N型单晶硅片背面的本征非晶硅薄膜(2)上依次沉积P型重掺杂非晶硅薄膜(4)、沉积Al₂O₃薄膜(6)和IWO透明导电薄膜(8)，在背面透明的IWO导电薄膜(8)上印刷银金属栅线电极(10)。