[发明专利]反射电极结构、LED器件及制备方法有效
| 申请号： | 201410592345.0 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104393139A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 许顺成;梁智勇;蔡炳杰 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自刚 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种反射电极结构，设置于氮化物半导体层之上，包括：反射部分与电极部分，电极部分位于反射部分之上，其中，反射部分为由氮化物半导体层的表层向外依次排列的第一Ni层、Al层组成；电极部分为由反射部分的Al层向外依次排列的Cr层、第二Ni层以及Au层组成，或由反射部分的Al层向外依次排列的Cr层、Pt层以及Au层组成，或由反射部分的Al层向外依次排列的第二Ni层、Pt层以及Au层组成，或由反射部分的Al层向外依次排列的Ti层、Pt层以及Au层组成，或由反射部分的Al层向外依次排列的Ti层、Pt层、Ti层、Pt层、Ti层、Pt层以及Au层组成。本发明使得电极对光的出光率高，且可降低操作电流。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 电极 结构 led 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种反射电极结构，设置于氮化物半导体层之上，其特征在于，包括：反射部分与电极部分，所述电极部分位于所述反射部分之上，其中，所述反射部分为由所述氮化物半导体层的表层向外依次排列的第一Ni层、Al层组成；所述电极部分为由所述反射部分的Al层向外依次排列的Cr层、第二Ni层以及Au层组成，或由所述反射部分的Al层向外依次排列的Cr层、Pt层以及Au层组成，或由所述反射部分的Al层向外依次排列的第二Ni层、Pt层以及Au层组成，或由所述反射部分的Al层向外依次排列的Ti层、Pt层以及Au层组成，或由所述反射部分的Al层向外依次排列的Ti层、Pt层、Ti层、Pt层、Ti层、Pt层以及Au层组成。
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