[发明专利]一种超低介电常数薄膜的制作方法有效
| 申请号： | 201410593456.3 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104319259B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低介电常数薄膜的制作方法，通过先对沉积形成的低介电常数薄膜进行刻蚀，形成所需的图形结构(此时的介质薄膜孔隙率较低，有足够的机械强度支撑硬掩膜引入的高应力)，然后再进行碳注入和紫外照射，以恢复介质薄膜中的孔径和孔隙率，进一步形成超低介电常数薄膜，既能避免介质薄膜倒线的现象，又能使介质薄膜的有效介电常数(K值)保持最小，且可与现有业界工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种超低介电常数薄膜的制作方法，其特征在于，包括：步骤一：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积一低介电常数薄膜，所述低介电常数薄膜的介电常数为2.7～2.9；步骤二：在所述低介电常数薄膜上沉积硬掩膜，并刻蚀形成所需的图形结构，之后去除硬掩膜；步骤三：对具有图形结构的所述低介电常数薄膜进行碳的注入，以降低其密度；步骤四：对具有图形结构的所述低介电常数薄膜进行紫外照射处理，以形成介电常数小于2.7的超低介电常数薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
