[发明专利]铜互连线间空气隙的形成方法在审
| 申请号： | 201410593476.0 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104319260A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 林宏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了铜互连线间空气隙的形成方法，其包括：提供一半导体器件衬底；在半导体器件衬底表面沉积可干法刻蚀的籽晶层；在籽晶层表面沉积非晶碳硬掩膜层；图案化非晶碳硬掩膜层，暴露出部分籽晶层表面；在暴露的籽晶层表面上且在非晶碳硬掩膜层中进行铜电镀，形成铜互连线；采用干法刻蚀去除非晶碳硬掩膜层，并干法刻蚀掉非晶碳硬掩膜层区域下方的籽晶层；在铜互连线上沉积介质层，从而在铜互连线间形成空气隙。本发明的方法，可以满足关键尺寸持续缩小的光刻、刻蚀技术的高要求，避免了湿法刻蚀工艺所造成的铜互连线底部过刻蚀问题和关键尺寸无法得到控制的问题；提高了对关键尺寸的可控性，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 空气 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连线间空气隙的形成方法，其特征在于，包括：步骤01：提供一半导体器件衬底；步骤02：在所述半导体器件衬底表面沉积可干法刻蚀的籽晶层；步骤03：在所述籽晶层表面沉积非晶碳硬掩膜层；步骤04：图案化所述非晶碳硬掩膜层，暴露出部分籽晶层表面；步骤05：在所述暴露的籽晶层表面上且在所述非晶碳硬掩膜层中进行铜电镀，形成铜互连线；步骤06：采用干法刻蚀去除所述非晶碳硬掩膜层，并干法刻蚀掉所述非晶碳硬掩膜层区域下方的所述籽晶层；步骤07：在所述铜互连线上沉积介质层，从而在所述铜互连线间形成空气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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