[发明专利]监测多晶硅衬底热退火活化效果及制造多晶硅衬底的方法有效
| 申请号： | 201410593840.3 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104362109A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 赵冬;刘瀚嵘;田震东;刘欢 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了监测多晶硅衬底热退火活化效果及制造多晶硅衬底的方法，其中监测多晶硅衬底热退火活化效果的方法包括：测量经过离子注入工艺和热退火工艺的多晶硅衬底的透光率作为第一透光率，根据所述第一透光率判定热退火的活化效果。本发明利用多晶硅的透光率这一比较稳定的特性作为热退火活化效果好坏的评价标准，通过将透光率与预设值进行比较得到热退火的活化效果，这样可以保证监测热退火活化效果过程的稳定性和可靠性，使得工艺人员能够及时有效地控制在线工艺，同时缩短监测过程的周期，而且测量透光率比进行电学特性测试还能大大降低监测成本。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 多晶 衬底 退火 活化 效果 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种监测多晶硅衬底热退火活化效果的方法，其特征在于，包括：测量经过离子注入工艺和热退火工艺的多晶硅衬底的透光率作为第一透光率，根据所述第一透光率判定热退火的活化效果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
