[发明专利]一种在基材表面直接生成二氧化锰的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410593959.0 申请日: 2014-10-16
公开(公告)号: CN104361996A 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 田颖;刘宗宇;周晓慧 申请(专利权)人: 大连交通大学
主分类号: H01G9/042 分类号: H01G9/042
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 116028 辽宁省大连*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种在基材表面直接生成二氧化锰的制备方法,该方法将三维电极基体放入含有可溶性二价锰盐和含氧酸盐氧化剂的溶液中,恒温水浴50~80℃下进行化学沉积。采用本技术一次成型制备的二氧化锰电极无需采用粘合剂,具有体电阻小的特点。形成的二氧化锰为三维结构,有利于溶液离子的扩散,且担载量大、电导率高,因此具有电容量大、循环性能好的优点。
搜索关键词: 一种 基材 表面 直接 生成 二氧化锰 制备 方法
【主权项】:
一种在基材表面直接生成二氧化锰的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)基材的预处理基材为泡沫镍、泡沫铜、泡沫碳、活性碳纤维中的一种;将基材放入0.1M盐酸溶液中超声60分钟去除基材表面的杂质,用清水反复清洗后放入60℃干燥箱中烘干备用;(2)溶液配制配制含有氧化锰前驱物MnCl2和氧化剂NaBrO3的混合溶液,其中MnCl2浓度为0.01~0.1M,NaBrO3浓度为0.4M;(3)二氧化锰制备将以步骤(1)处理后的基材浸入步骤(2)配制的溶液中,在水浴中加热进行反应;水浴温度为50~80℃,加热时间控制在2~12h。
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