[发明专利]一种基于磁性合金复合薄膜的存储单元及其制备方法和磁存储装置有效
| 申请号： | 201410594041.8 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105633276B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 关夏威;刘苏皓;黄婷;徐荣刚;刘祖齐;赵俊峰 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元，包括：第一电极层、第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层、第二电极层；所述第二磁性层为磁性合金复合薄膜，所述磁性合金复合薄膜包括磁性颗粒和绝缘隔离物；所述磁性颗粒包括磁性合金；所述绝缘隔离物的材质包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的至少一种，所述磁性颗粒分散在所述绝缘隔离物中。本发明提供的基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元能兼顾存储密度，并实现高速、低功耗存储。本发明实施例还提供了该基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元的制备方法和一种包含该基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元的磁存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性合金 复合薄膜 磁存储单元 绝缘隔离物 磁性颗粒 磁性层 磁存储装置 制备 存储 金属氮氧化物 金属氮化物 金属氧化物 存储单元 第二电极 第一电极 低功耗 隧穿层 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元，其特征在于，包括：第一电极层、形成在所述第一电极层上的第一磁性层、形成在所述第一磁性层上的绝缘隧穿层、形成在所述绝缘隧穿层上的第二磁性层以及形成在所述第二磁性层上的第二电极层；其中，所述第二磁性层为磁性合金复合薄膜，所述磁性合金复合薄膜包括磁性颗粒和绝缘隔离物，其中，所述磁性颗粒包括磁性合金，所述磁性合金包括Fe、Co、Ni和Pt元素中的至少一种，所述绝缘隔离物包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的至少一种，所述磁性颗粒分散在所述绝缘隔离物中。
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