[发明专利]半导体器件

摘要

提供了一种半导体器件，包括：第一导电类型的衬底、第一电路区域、分隔区域、第二电路区域和整流元件。整流元件具有：第二导电类型层、第一高浓度第二导电类型区域、第二高浓度第二导电类型区域、元件隔离膜、第一绝缘层和第一导电膜。第一接触耦合至第一高浓度第二导电类型区域，而第二接触耦合至第二高浓度第二导电类型区域。第三接触耦合至第一导电膜。第一接触、第二接触和第三接触彼此分隔开。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的衬底；第一电路区域，形成在所述衬底中并且形成有第一电路，所述第一电路的电源电位为第一电压；分隔区域，包围所述第一电路区域；第二电路区域，形成在所述衬底中，所述第二电路区域在平面图中定位在所述分隔区域之外并且形成有第二电路，所述第二电路的电源电位为低于所述第一电压的第二电压；以及第一导电类型区域，形成在所述衬底中、在所述分隔区域的周边周围，其中所述分隔区域包括：第二导电类型层，形成在所述衬底中；第一高浓度第二导电类型区域，形成在所述第二导电类型层中；第二高浓度第二导电类型区域，形成在所述第二导电类型层中，并且远离所述第一高浓度第二导电类型区域，所述第一导电类型区域的底部形成在所述第二高浓度第二导电类型区域之下，使得所述第二导电类型层形成在所述第一导电类型区域的所述底部与所述第二高浓度第二导电类型区域之间；元件隔离膜，形成在所述衬底中，所述元件隔离膜定位在所述第一高浓度第二导电类型区域与所述第二高浓度第二导电类型区域之间，并且远离所述第二高浓度第二导电类型区域；第一绝缘膜，形成在所述衬底中的区域之上，所述区域定位在所述第二高浓度第二导电类型区域与所述元件隔离膜之间；第一导电膜，形成在所述第一绝缘膜之上；第一接触，耦合至所述第一高浓度第二导电类型区域；第二接触，耦合至所述第二高浓度第二导电类型区域；以及第三接触，耦合至所述第一导电膜，以及其中所述第一接触、所述第二接触和所述第三接触彼此分隔开。