[发明专利]一种抗电势诱导衰减的太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种抗电势诱导衰减的太阳能电池，包括背面电极、背面电场、P型硅、N型发射极、第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层和正面电极，所述第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层依次设于所述N型发射极之上；所述第一氧化硅层的折射率为2.6‑3.0；所述氮化硅层的折射率为2.0‑2.15，所述第二氧化硅层的折射率为1.4‑1.7。相应的，本发明还提供一种制备上述抗电势诱导衰减的太阳能电池的方法。采用本发明，其正面采用三层薄膜的叠加结构，电池的抗电势诱导性能优异，此外，这种叠层的折射率由小到大，光学匹配性好，有利于光的吸收，钝化效果好，能大幅的提升电池的光电转换效率。

主权项

一种抗电势诱导衰减的太阳能电池，包括背面电极、背面电场、P型硅、N型发射极、第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层和正面电极，其特征在于，所述第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层依次设于所述N型发射极之上；所述第一氧化硅层的折射率为2.9‑3.0；所述氮化硅层的折射率为2.11‑2.15，所述第二氧化硅层的折射率为1.4‑1.7；所述第一氧化硅层的厚度为8‑12nm；所述氮化硅层的厚度为55‑60nm；所述第二氧化硅层的厚度为12‑15nm；所述第一氧化硅层通过PECVD设备中通入N2O和SiH4制得，反应温度为380‑450℃，沉积时间5‑100s， N2O和SiH4的流量比为0.1‑1:3‑10；所述氮化硅层通过PECVD设备中通入NH3和SiH4制得，反应温度为380‑460℃，沉积时间500‑800s，SiH4和NH3的流量比为0.1‑0.3:1；所述第二氧化硅层通过PECVD设备中通入N2O和SiH4制得，反应温度为380‑450℃，沉积时间10‑100s， N2O和SiH4的流量比为1:0.5 ‑5。