[发明专利]金属栅极结构与其形成方法有效
| 申请号： | 201410596532.6 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105552116B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李季儒;王尧展;何念葶;许启茂;苏冠丞;陈面国;杨晓光;姚芳弘;戴圣辉;李宗霖 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属栅极结构与其形成方法，该金属栅极结构形成在一介电层的一沟槽中，该金属栅极结构包含一功函数金属层设置在沟槽中，功函数金属层包含一底部以及一侧部，其中底部的一厚度与侧部的一厚度的比值为2至5，以及一金属层填满该沟槽。本发明还提供了一种形成金属栅极结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 结构 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅极结构，形成在一介电层的一沟槽中，该金属栅极结构包含：功函数金属层设置在该沟槽中，该功函数金属层包含一底部以及一侧部，其中该底部的一厚度与该侧部的一厚度的比值为2至5；以及金属层填满该沟槽。
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