[发明专利]金属栅极结构与其形成方法有效

专利信息
申请号: 201410596532.6 申请日: 2014-10-30
公开(公告)号: CN105552116B 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 李季儒;王尧展;何念葶;许启茂;苏冠丞;陈面国;杨晓光;姚芳弘;戴圣辉;李宗霖 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L21/28
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种金属栅极结构与其形成方法,该金属栅极结构形成在一介电层的一沟槽中,该金属栅极结构包含一功函数金属层设置在沟槽中,功函数金属层包含一底部以及一侧部,其中底部的一厚度与侧部的一厚度的比值为2至5,以及一金属层填满该沟槽。本发明还提供了一种形成金属栅极结构的方法。
搜索关键词: 金属 栅极 结构 与其 形成 方法
【主权项】:
一种金属栅极结构,形成在一介电层的一沟槽中,该金属栅极结构包含:功函数金属层设置在该沟槽中,该功函数金属层包含一底部以及一侧部,其中该底部的一厚度与该侧部的一厚度的比值为2至5;以及金属层填满该沟槽。
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