[发明专利]一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用在审
| 申请号： | 201410596686.5 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104599856A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 郭霞;范修军;李冲;刘白;刘巧莉;董建 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/36 | 分类号： | H01G11/36;H01G11/86;H01G11/32;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用，属于碳纳米材料技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管阵列的顶端蒸镀Si层，然后利用Si层生长碳纳米洋葱结构。单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料除去底层硅片后用于超级电容器中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单壁碳 纳米 垂直 阵列 洋葱 复合材料 制备 方法 及其 超级 电容器 中的 应用 | ||
【主权项】：
单壁碳纳米管垂直阵列‑碳纳米洋葱复合材料，其特征在于，底层为硅片，硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。
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