[发明专利]一种CIGS太阳能电池吸收层的制备方法

摘要

本发明属于光电材料领域，尤其涉及一种CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，所述制备方法以下步骤：（1）放置样品与安装靶材；（2）关闭真空腔体，进行抽真空；（3）溅射制备CIG预制层，进行低温预热处理；（4）硒化热处理制备CIGS薄膜，其中，在步骤（1）中，所述样品为镀Mo层的衬底，所述衬底采用玻璃、石英或金属衬底，所述靶材由Cu、In、Ga三种元素组成的靶材或由Cu、In、Ga三种元素任一种或两种组成的靶材。该制备方法在溅射制备CIG预制层后进行的硒化是通过两步热处理以及优化的升温曲线实现的，既可有效消除薄膜中的应力及晶界等缺陷，又可减少InSex、GaSex等二元相的生成与挥发，制备出的CIGS吸收层具有元素分布均匀、成分、结构可控的优点。

主权项

一种CIGS太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于， 包括以下步骤：（1）放置样品与安装靶材；（2）关闭真空腔体，进行抽真空；（3）溅射制备CIG预制层，进行低温预热处理；（4）硒化热处理制备CIGS薄膜，其中，在步骤（1）中，所述样品为镀Mo层的衬底，所述衬底采用玻璃、石英或金属衬底，所述靶材是由Cu、In、Ga三种元素组成的靶材或是由Cu、In、Ga三种元素任一种或两种组成的靶材。