[发明专利]PMMA包覆的中空Sn-Ni合金纳米线阵列、其制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201410599522.8 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104466127A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 石永倩;唐其伟;刘军;赵成龙 | 申请（专利权）人： | 山东玉皇新能源科技有限公司;山东玉皇化工有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 张贵宾 |
| 地址： | 274000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PMMA包覆的中空Sn-Ni合金纳米线阵列、其制备方法及其在锂电池负极材料中的应用。本发明包括步骤：1）以AAO为模板恒流电沉积法制备Ni纳米线；2）以Ni纳米线为模板，通过电流置换反应制备中空Sn-Ni合金纳米线阵列；3）利用MMA原位本体聚合的方法在单根纳米线与AAO形成的圆环形孔隙内原位生成20-30nm的PMMA高分子薄膜，得到PMMA包覆的中空Sn-Ni合金纳米线阵列。以制得的PMMA包覆的中空Sn-Ni合金纳米线阵列为负极组装锂离子电池，50次循环后可逆比容量保持在0.84mAhcm-2，这主要得益于高分子的柔性和其内部中空结构对体积膨胀的缓冲作用。 | ||
| 搜索关键词： | pmma 中空 sn ni 合金 纳米 阵列 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种PMMA包覆的中空Sn‑Ni合金纳米线阵列，其特征在于：包括中空Sn‑Ni合金纳米线阵列，所述中空Sn‑Ni合金纳米线阵列外面由PMMA包覆层包覆。
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