[发明专利]一种硫化镉气相合成方法有效
| 申请号： | 201410599785.9 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104313686A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 曹昌威;詹科;种娜;张程;杨旭 | 申请（专利权）人： | 峨嵋半导体材料研究所 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/50 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 巫敏;钱成岑 |
| 地址： | 614200 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硫化镉气相合成方法，包括如下步骤：第一步，将纯度≥6N的硫和镉按照1.1-1.3:1的摩尔比分别放入位于反应室左、右侧的硫蒸发室和镉蒸发室内；第二步，往反应室内先通氩气1-1.5小时，氩气的流量为500-600ml/min，去除反应室内的空气干扰；第三步，持续通氩气的同时对反应室进行反应升温,通过载流气体氩气运输镉和硫两种气流进入到合成室，进行反应；对反应室进行反应升温时，先升温位于反应室中部的合成室温度，再升温镉蒸发室和硫蒸发室的温度，并保持该氩气流量；恒定镉蒸发室和硫蒸发室的温度，并恒温6-8h；待反应系统降低到室温时取出合成产物-硫化镉。气相合成过程中不会掺杂杂质，故合成出来的硫化镉多晶具有很高的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 相合 成方 | ||
【主权项】：
一种硫化镉气相合成方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：第一步，将纯度≥6N的硫和镉按照1.1‑1.3:1的摩尔比分别放入位于反应室左、右侧的硫蒸发室内和镉蒸发室；第二步，往反应室内先通氩气1‑1.5小时，氩气的流量为500‑600ml/min，去除反应室内的空气干扰；第三步，持续通氩气的同时对反应室进行反应升温，通过载流气体氩气运输硫和镉两种气流进入到合成室，进行反应;对反应室进行反应升温时，先升温位于反应室中部的合成室温度，待合成室温度达到1020‑1120℃时，再升温镉蒸发室和硫蒸发室的温度，待镉蒸发室的温度为720‑870℃时，调整镉蒸发室通氩气的流量为150‑200ml/min，并保持该氩气流量；待硫蒸发室的温度为270‑350℃时，调整硫蒸发室通氩气的流量为450‑500ml/min，并保持该氩气流量；恒定镉蒸发室和硫蒸发室的温度，并恒温6‑8h；第四步，反应结束后，停止升温，持续通氩气，待合成室温度降到400℃时，停止加热；待反应系统降低到室温时取出合成产物‑硫化镉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于峨嵋半导体材料研究所，未经峨嵋半导体材料研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410599785.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
