[发明专利]大尺寸方形氟化钙晶体的制备方法无效
| 申请号： | 201410599881.3 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104294362A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 郭宗海 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛本征晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 066004 河北省秦皇岛市经济技术开发区*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸方形氟化钙晶体的制备方法，包括以下步骤：原料称取、原料干燥、原料熔化、晶体生长、晶体退火。采用方形石墨坩埚进行晶体生长，并采用随炉退火，可直接制备出实际需要的高质量、大尺寸的方形氟化钙晶体。利用本发明方法可以有效地缩短大尺寸方形氟化钙晶体产品的生长周期，提高方形氟化钙晶体产品的生产效率和产品率，降低了晶体加工难度，而且降低了晶体的生长难度。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 方形 氟化钙 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸方形氟化钙晶体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）称取纯度为99%的氟化钙矿石原料和1/100比例重量的除氧剂混合均匀；（2）放入真空干燥箱内，温度保持200±10℃干燥时间12小时；（3）取出后装入方形石墨坩埚，然后将方形石墨坩埚置于生长炉内的坩埚托盘上；（4）抽真空至10‑3 Pa以上，以100℃/h升温到800℃，保持2小时使氟化铅反应并发挥完全，再以50℃/h升温到1300℃，再以30℃/h升温到熔点1370℃，使原料完全融化并保持4小时；（5）坩埚下降，晶体生长，坩埚下降速率在1‑3mm/h之间；（6）待生长结束后，将坩埚回升至原始位置，并以5‑20℃/h的速率降至室温；（7）当晶体温度降至室温24小时以后，取出晶体。
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