[发明专利]切削装置以及切削方法有效
| 申请号： | 201410601820.6 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104616972B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 板谷悠矢;石合由树 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉;金玲<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种切削装置以及切削方法，能够防止切削性能降低导致的被加工物和切削刀的破损。切削被加工物(11)的切削装置(2)构成为具有：保持构件(6)，其保持被加工物；切削构件(8)，其具有切削刀(42)和主轴(44)，其中，该切削刀(42)切削被保持构件保持的被加工物，该主轴使切削刀进行旋转；切削水供给构件(62、72)，其向切削刀供给切削水(W)；以及清洗流体喷射构件(80)，其向切削刀喷射用于去除附着于切削刀上的附着物的清洗流体(F)。 | ||
| 搜索关键词： | 切削 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种切削装置，其对被加工物进行切削，/n该切削装置的特征在于，具有：/n保持构件，其保持被加工物；/n切削构件，其具有切削刀和主轴，其中，该切削刀对被该保持构件保持的被加工物进行切削，该主轴使该切削刀进行旋转；/n刀罩，其收容该切削刀；/n切削水供给构件，其向该切削刀供给切削水；以及/n清洗流体喷射构件，其向该切削刀喷射由气体与液体的混合流体构成的清洗流体，该清洗流体用于去除附着于该切削刀上的切削屑，从而能够防止切削屑的附着导致的切削性能的降低，/n该清洗流体喷射构件设置于该刀罩的中央上部，向与该切削刀的旋转方向大致相反的喷射方向喷射该清洗流体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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