[发明专利]蚀刻液管理装置、溶解金属浓度测定装置及测定方法在审
申请号: | 201410602454.6 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN105304524A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 中川俊元;白井浩之 | 申请(专利权)人: | 株式会社平间理化研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘婷 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种对蚀刻液的成分浓度进行监视并且对溶解金属浓度进行监视,以使成分浓度固定的方式自动地补给补充液并且对溶解金属进行分离回收的蚀刻液管理装置、溶解金属浓度测定装置及测定方法。所述蚀刻液管理装置具备:第一物性值测定机构,其对与蚀刻液中的酸的浓度相关的第一物性值进行测定;第二物性值测定机构,其对与溶解的金属的浓度相关的第二物性值进行测定;补充液输送控制机构,其基于酸的浓度与第一物性值的相关关系以及第一物性值的测定结果,来控制被补给的补充液的输送;溶解金属回收去除机构,其基于溶解的金属的浓度与第二物性值的相关关系以及第二物性值的测定结果对溶解的金属进行回收去除。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 管理 装置 溶解 金属 浓度 测定 方法 | ||
【主权项】:
一种蚀刻液管理装置,其对含有酸并在金属膜或金属化合物膜的蚀刻中反复使用的蚀刻液进行管理,所述蚀刻液管理装置的特征在于,具备:第一物性值测定机构,其对作为所述蚀刻液的物性值的、与该蚀刻液中的所述酸的浓度相关的第一物性值进行测定;第二物性值测定机构,其对作为所述蚀刻液的物性值的、与从所述金属膜或所述金属化合物膜溶解到该蚀刻液中的金属的浓度相关的第二物性值进行测定;补充液输送控制机构,其基于所述蚀刻液中的所述酸的浓度与所述第一物性值之间的相关关系以及所述第一物性值测定机构的测定结果,以使所述酸的浓度处于所管理的浓度范围内的方式控制向所述蚀刻液补给的补充液的输送;溶解金属回收去除机构,其基于溶解于所述蚀刻液中的所述金属的浓度与所述第二物性值之间的相关关系以及所述第二物性值测定机构的测定结果,以使所述金属的浓度成为所管理的浓度的阈值以下的方式从所述蚀刻液回收去除溶解于该蚀刻液中的所述金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社平间理化研究所,未经株式会社平间理化研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410602454.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造