[发明专利]可变电阻式存储器及其写入方法在审
| 申请号： | 201410603605.X | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104900261A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 水藤克年 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可变电阻式存储器及其写入方法，该可变电阻式存储器包括存储互补状态的存储单元结构的存储器阵列。存储单元CU中，位线BL及共通源极线BSL之间串联连接存取用晶体管T1及可变阻抗元件R1，共通源极线BSL及位线BLb之间串联连接存取用晶体管T2及可变阻抗元件R2。可变阻抗元件R1、R2是使极性朝向相同方向的方式串联连接，可变阻抗元件R1及可变阻抗元件R2之间的连接节点N连接到共通源极线BSL。通过本发明能够获得高度集成化、低成本化、小尺寸的可变电阻式存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储器 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种可变电阻式存储器，通过可逆性且非易失性可变阻抗元件来存储数据，其特征在于，包括：存储器阵列，其中在一对的位线间串联连接一对的晶体管与一对的可变阻抗元件，所述一对的可变阻抗元件之间连接共通源极线，所述一对的可变阻抗元件的极性是同一方向，所述一对的晶体管的栅极连接至共通的字线。
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