[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201410604442.7 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104465918A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;葛永晖;曹阳;张志刚;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体光电技术领域。所述方法包括：在衬底上依次生长低温缓冲层、三维重结晶成核层、缓冲恢复层、N型层、多量子阱层、P型层，生长所述缓冲恢复层包括：在三维重结晶成核层上，依次以第一生长速率0.2～1.0nm/sec生长第一缓冲恢复子层，以第二生长速率0.50～2.0nm/sec生长第二缓冲恢复子层，以第三生长速率0.2～1.0nm/sec生长第三缓冲恢复子层，且第二生长速率大于第一生长速率和第三生长速率。本发明通过分三层生长缓冲恢复层，且三层生长的生长速率合理搭配，能减少引入多量子阱层的晶体缺陷，进而提高制备出来的外延片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片制备方法，所述方法包括：在衬底上依次生长低温缓冲层、三维重结晶成核层、缓冲恢复层、N型层、多量子阱层以及P型层，其特征在于，生长所述缓冲恢复层包括：在所述三维重结晶成核层上，以第一生长速率生长第一缓冲恢复子层；在所述第一缓冲恢复子层上，以第二生长速率生长第二缓冲恢复子层；在所述第二缓冲恢复子层上，以第三生长速率生长第三缓冲恢复子层；所述第一生长速率为0.2～1.0nm/sec，所述第二生长速率为0.50～2.0nm/sec，所述第三生长速率为0.2～1.0nm/sec，且所述第二生长速率大于所述第一生长速率和所述第三生长速率。
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