[发明专利]半导体测试治具有效
| 申请号： | 201410605254.6 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104280677B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 石磊 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 应战,骆苏华 |
| 地址： | 226006 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体测试治具，包括基底；位于基底上若干相互分离的若干测试针头；位于基底上的介质层，所述介质层填充相邻测试针头之间的空间且覆盖测试针头的侧壁表面，所述介质层的表面与测试针头的顶部表面齐平；位于介质层和测试针头上的过渡板，所述过渡板中具有若干与测试针头顶部表面电接触的金属块。半导体测试治具中的介质层用于测试针头之间的电学隔离并提高测试针头的机械强度，所述介质层上具有过渡板，所述过渡板作为测试针头与被测试端子之间的过渡结构，以方便电学性能的测试，以及防止测试针头与被测试端子直接接触，对测试端子造成损伤或者容易使得测试针头发生变形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 | ||
【主权项】：
一种半导体测试治具，其特征在于，包括：基底；位于基底上若干相互分离的若干测试针头；所述测试针头的形成过程至少为：a)在所述基底上形成第一金属层；在第一金属层上形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一金属层形成若干测试针；去除所述图形化的掩膜层；或b)在所述基底上形成牺牲层，所述牺牲层中具有暴露出基底表面的若干通孔；在所述通孔中填充满第一金属层，形成若干测试针；去除所述牺牲层；位于基底上的介质层，所述介质层填充相邻测试针头之间的空间且覆盖测试针头的侧壁表面，所述介质层的表面与测试针头的顶部表面齐平；位于介质层和测试针头上的过渡板，所述过渡板中具有若干与测试针头顶部表面电接触的金属块。
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