[发明专利]半导体测试治具

摘要

一种半导体测试治具，包括：基底，所述基底包括若干测试区域；位于基底的每个测试区域上的至少一排测试针头，每个测试针头包括第一测试针，所述第一测试针包括第一本体、位于第一本体一端的第一测试端以及位于第一本体另一端的第一连接端；覆盖所述第一测试针的第一本体表面的绝缘层；位于绝缘层表面环绕所述第一测试针的第二测试针，第二测试针与第一测试针同轴，第二测试针包括第二本体、位于第二本体一端的第二测试端以及位于第二本体另一端的第二连接端，所述第二测试端表面与第一测试端表面齐平。本发明半导体测试治具可以同时对多个待测试封装结构进行测试，提高了测试的效率。

主权项

1.一种半导体测试治具，其特征在于，包括：基底，所述基底包括≥2个的测试区域；位于基底的每个测试区域上的至少一排测试针头，每个测试针头包括第一测试针，所述第一测试针包括第一本体、位于第一本体一端的第一测试端以及位于第一本体另一端的第一连接端；覆盖所述第一测试针的第一本体表面的绝缘层；位于绝缘层表面环绕所述第一测试针的第二测试针，第二测试针与第一测试针同轴，第二测试针包括第二本体、位于第二本体一端的第二测试端以及位于第二本体另一端的第二连接端，所述第二测试端表面与第一测试端表面齐平；其中，所述测试针头通过半导体集成工艺制作，包括方案a，方案b和方案c：方案a，通过半导体集成工艺制作测试针头的过程包括：在所述基底上形成第一金属层；刻蚀所述第一金属层，在所述基底的每个测试区域上形成至少一排第一测试针；形成覆盖每个第一测试针侧壁和顶部表面的绝缘薄膜层；无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述绝缘薄膜层在第一测试针的侧壁形成绝缘层；形成覆盖所述绝缘层和第一测试针顶部表面的第二金属层；无掩膜刻蚀所述第二金属层，在绝缘层表面形成第二测试针；方案b，通过半导体集成工艺制作测试针头的过程包括：在所述基底上形成牺牲层，所述基底的每个测试区域上的牺牲层中具有暴露出基底表面的至少一排通孔；在所述通孔中填充满金属，在基底的每个测试区域上形成至少一排第一测试针；去除所述牺牲层；形成覆盖每个第一测试针侧壁和顶部表面的绝缘薄膜层；无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述绝缘薄膜层在第一测试针的侧壁形成绝缘层；形成覆盖所述绝缘层和第一测试针顶部表面的第二金属层；无掩膜刻蚀所述第二金属层，在绝缘层表面形成第二测试针；方案c，通过半导体集成工艺制作测试针头的过程包括：所述第一测试针、绝缘层、第二测试针和介质层的形成过程为：在所述基底上形成介质层，所述基底的每个测试区域上的介质层中形成有至少一排第一通孔和环绕每个第一通孔的环形通孔，第一通孔和环形通孔之间通过部分介质层隔离；在第一通孔中填充金属形成第一测试针，在环形通孔中填充金属形成第二测试针，第一测试针和第二测试针之间部分介质层作为绝缘层。