[发明专利]半导体测试治具的形成方法有效
申请号: | 201410606075.4 | 申请日: | 2014-10-30 |
公开(公告)号: | CN104319248B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 石磊 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 226006 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种半导体测试治具的形成方法,包括提供基底;在所述基底上形成若干相互分离的若干测试针头;在所述基底上的固定层,所述固定层填充相邻测试针头之间的空间且覆盖测试针头的部分侧壁表面。通过形成固定层,所述固定层提高了测试针头的机械强度,固定层能够分散测试针头与被测试端子接触时受到的应力,在测试时防止测试针头发生变形或者从基底表面脱离。 | ||
搜索关键词: | 半导体 测试 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体测试治具的形成方法,其特征在于,包括:提供基底;在所述基底上形成若干相互分离的若干同轴测试针头;在所述基底上的固定层,所述固定层填充相邻测试针头之间的空间且覆盖测试针头的部分侧壁表面;其中,所述同轴测试针头通过半导体集成制作工艺形成,通过半导体集成制作工艺形成测试针头和固定层的过程包括方案a和b;方案a,在所述基底上形成第一测试针;形成覆盖每个第一测试针侧壁和顶部表面的绝缘薄膜层;无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述绝缘薄膜层在第一测试针的侧壁形成绝缘层;形成覆盖所述绝缘层和第一测试针顶部表面的第二金属层;无掩膜刻蚀所述第二金属层,在绝缘层表面形成第二测试针;形成覆盖所述基底和测试针头表面的固定材料层;回刻蚀所述固定材料层,形成固定层;方案b,在所述基底上形成介质层,所述介质层中形成有若干第一通孔和环绕每个第一通孔的环形通孔,第一通孔和环形通孔之间通过部分介质层隔离;在第一通孔中填充金属形成第一测试针,在环形通孔中填充金属形成第二测试针;去除第二测试针外侧的部分厚度的介质层,第一测试针和第二测试针之间剩余的介质层作为绝缘层,测试针头之间的基底上剩余的介质层作为固定层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造