[发明专利]一种结合MIT与SPR技术检测二氧化硫的方法

摘要

本发明公开了一种结合MIT与SPR技术检测二氧化硫的方法，属于二氧化硫检测领域。用真空蒸镀法在基片上镀一层金属膜后自组装；将自组装后基片覆盖在SPR检测系统的反应池上，注满反应液，引发聚合，在基片的金属膜上形成分子印迹膜；通入洗脱液，洗脱处理后得到SO₂分子印迹传感芯片；通入N₂，测量共振角1；通入SO₂，测量共振角2；根据共振角1和共振角2的大小，判断分子印迹传感芯片对SO₂是否有响应。所述方法操作简单，可以直接测定样品中的二氧化硫含量，且灵敏度高，检测成本低，耗能少，反应时间短，干净无污染，易于推广。

主权项

一种结合MIT与SPR技术检测二氧化硫的方法，其特征在于：所述方法具体步骤如下：(1)用真空蒸镀法在基片上镀一层厚度为40～50nm的金属膜；(2)将镀好金属膜的基片置于烷基硫醇溶液中进行自组装，得到自组装后基片；(3)在避光条件下，将SO₂和功能单体溶解于致孔剂中，混合均匀，静置1～5h，得到溶液1；向溶液1中加入交联剂和引发剂，混合均匀，得到反应液；(4)将步骤(2)所述自组装后基片覆盖在SPR检测系统的反应池上，通入N₂，待检测系统显示反射光强稳定不变时，对反射光强按角度进行扫描，记录下SPR光谱图1，得到成膜前基片在N₂中的共振角α₁；停止通入N₂，通入乙醇，待检测系统显示反射光强稳定不变时，对反射光强按角度进行扫描，记录下SPR光谱图2，得到基片成膜前在乙醇中的共振角β₁；向反应池中注满步骤(3)所述反应液，引发聚合，在基片的金属膜上形成分子印迹膜；待检测系统显示反射光强稳定不变时，对反射光强按角度进行扫描，记录下SPR光谱图3，得到基片成膜后在乙醇中的共振角β₂；若β₂>(β₁+5°)，执行步骤(5)；若β₂≤(β₁+5°)，重复执行步骤(3)和步骤(4)；(5)停止通入乙醇，通入N₂，待检测系统显示反射光强稳定不变时，对反射光强按角度进行扫描，记录下SPR光谱图4，得到基片成膜后N₂中的共振角α₂；若α₂>(α₁+5°)，执行步骤(6)，若α₂≤(α₁+5°)，重复执行步骤(3)至步骤(5)；(6)停止通入N₂，通入乙醇，待检测系统显示反射光强稳定不变时，停止通入乙醇，通入洗脱液，对所述分子印迹膜进行洗脱处理，除去分子印迹膜中的SO₂分子，得到SO₂分子印迹传感芯片；停止通入洗脱液，通入乙醇，待检测系统显示反射光强稳定不变时，对反射光强按角度进行扫描，记录下SPR光谱图5，得到分子印迹传感芯片在乙醇中的共振角β₃；若(β₃+0.5°)≤β₂，执行步骤(7)；若(β₃+0.5°)>β₂，重复执行步骤(6)；(7)停止通入乙醇，通入N₂，待检测系统显示反射光强稳定不变时，对反射光强按角度进行扫描，记录下SPR光谱图6，得到分子印迹传感芯片的共振角α₃；若(α₃+0.5°)≤α₂，执行步骤(8)；若(α₃+0.5°)>α₂，重复执行步骤(6)和步骤(7)；(8)停止通入N₂，通入SO₂，待仪器显示反射光强稳定不变时，停止通入SO₂，通入N₂，待检测系统显示反射光强稳定不变时，对反射光强按角度进行扫描，记录下SPR光谱图7，得到分子印迹传感芯片的共振角α₄；(9)根据α₃和α₄的大小，判断分子印迹传感芯片对SO₂是否有响应：若α₃<α₄，说明分子印迹传感芯片对SO₂具有响应；若α₃≥α₄，说明分子印迹传感芯片对SO₂没有响应；其中，所述SPR为表面等离子体共振的简称。