[发明专利]增强型氮化镓晶体管器件有效
| 申请号： | 201410608510.7 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN105633143B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 郭威宏;林素芳;周以伦;傅毅耕 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种增强型氮化镓晶体管器件，包括基板、基板上的外延结构、外延结构上的凹入式栅极、凹入式栅极上的栅极电极、源极电极与漏极电极。所述凹入式栅极是p型金属氧化物。在所述栅极电极与所述凹入式栅极之间还有介电叠层。这个介电叠层包括第一介电层与第二介电层，其中第二介电层与凹入式栅极接触，且第二介电层中的金属元素的氧化电位需比p型金属氧化物的金属元素低。凹入式栅极具有纳米结构图案，所述纳米结构图案延伸至所述外延结构内。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 氮化 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种增强型氮化镓晶体管器件，其特征在于，所述器件包括：基板；外延结构，位于所述基板上，所述外延结构由所述基板依序包括非掺杂氮化镓层与非掺杂氮化铝镓层，所述外延结构为具有二维电子气的异质结构；凹入式栅极，在所述外延结构上，其中所述凹入式栅极具有纳米结构图案，所述纳米结构图案延伸至所述非掺杂氮化镓层与所述非掺杂氮化铝镓层之间，且所述凹入式栅极是p型金属氧化物；栅极电极，位于所述凹入式栅极上；介电叠层，位于所述栅极电极与所述凹入式栅极之间，所述介电叠层包括第一介电层与第二介电层，其中所述第二介电层与所述凹入式栅极接触，且所述第二介电层中的金属元素的氧化电位比所述p型金属氧化物的金属元素低；以及源极电极与漏极电极，位于所述凹入式栅极两侧的所述外延结构上。
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