[发明专利]触头、半导体试验装置以及半导体试验方法有效
申请号: | 201410608511.1 | 申请日: | 2014-11-03 |
公开(公告)号: | CN104749512B | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 丸山真生;小池幸司 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R1/067 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 王颖,金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够降低与半导体装置的端子之间的接触电阻且寿命长的半导体装置试验用的触头,和具备该触头的半导体试验装置以及使用该触头的半导体试验方法。本发明的触头是与半导体装置(20)的端子(21)接触并被按压,而使电流流过半导体装置(20)的半导体装置试验用的触头(1)。触头(1)具备接触部,其具有与半导体装置(20)的端子(21)接触的平坦的接触面(1b),和变形部(1a),其在与半导体装置(20)的端子(21)接触并被按压时弹性变形。 | ||
搜索关键词: | 半导体 试验装置 以及 试验 方法 | ||
【主权项】:
一种与作为被试验物的半导体装置的端子接触并被按压,而使电流流过该半导体装置的半导体装置试验用的触头,其特征在于,具备:接触部,其具有与该半导体装置的端子接触的平坦的接触面,和变形部,其在与该半导体装置的端子接触并被按压时弹性变形,所述变形部为柱状,在所述变形部设有多个沿与所述按压的方向相交的方向延长的狭缝,所述多个狭缝之中,第一狭缝与第二狭缝从所述柱状的周面相差180度的位置沿朝向所述柱状的中心的方向形成,在所述第一狭缝与所述第二狭缝之间形成的狭缝中相邻的狭缝从所述周面相差90度或180度的位置沿朝向所述柱状的中心的方向形成,所述第一狭缝是所述多个狭缝之中最接近所述接触面的狭缝,所述第二狭缝是所述多个狭缝之中与所述变形部的所述接触面侧相反的一侧最接近的狭缝。
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