[发明专利]背面金属化共晶工艺方法在审
| 申请号： | 201410608820.9 | 申请日： | 2014-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN104299922A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 吴耀辉 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C23C14/24;C23C14/16 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 陈书华 |
| 地址： | 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工工艺方法。一种背面金属化共晶工艺方法包括如下步骤：1)通过减薄设备对硅晶圆片上进行减薄处理；2)在硅片上表面进行第一次腐蚀处理；3)对硅片进行清洗；4)在硅片上表面进行第二次腐蚀处理；5)将硅片进行冲水甩干；6)对硅片上表面进行金属蒸发处理，在硅片往上依次形成钛金属层、镍金属层和锡锑共晶合金层；7)采用共晶焊接工艺对硅片进行封装处理。本发明背在硅片上进行金属蒸发形成多层金属层，在硅片上的第一层为钛金属层，能与硅片形成良好欧姆接触，第二层为镍金属层能够与钛金属层形成良好接触，第三层为锡锑共晶合金层无剧毒安全可靠，改变了原有背面金属化共晶工艺方法的工艺缺陷，降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 金属化 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种背面金属化共晶工艺方法，其步骤如下：1)通过减薄设备对硅晶圆片上进行减薄处理，获得作为衬底的硅片(1)；2)在所述硅片(1)上表面进行第一次腐蚀处理，将硅片(1)进一步腐蚀减薄；3)对所述硅片(1)进行清水清洗；4)对硅片(1)上表面进行金属蒸发处理，在硅片(1)上表面形成钛金属层(2)；5)对硅片(1)继续进行金属蒸发处理，在钛金属层(2)上形成镍金属层(3)；6)对硅片(1)进一步进行金属蒸发处理，在镍金属层(3)上形成锡锑共晶合金金属层(4)；7)采用共晶焊接工艺对硅片(1)进行封装处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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