[发明专利]存储元件的制造方法

摘要

本发明公开了一种存储元件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底；于衬底上形成多个半导体鳍状结构；每一半导体鳍状结构包括第一掺杂区与基体区，第一掺杂区位于基体区上，以及相邻两个半导体鳍状结构之间具有沟道；于半导体鳍状结构的基体区与沟道底部的衬底中形成第二掺杂区；于衬底上形成多个第一接触窗；每一第一接触窗电性连接第二掺杂区；于衬底上形成多个第二接触窗；每一第二接触窗电性连接所对应的第一掺杂区。

主权项

1.一种存储元件的制造方法，包括：提供一衬底，该衬底包括一第一部分与一第二部分；形成多个半导体鳍状结构，于该第一部分的该衬底上，每一半导体鳍状结构沿着一第一方向延伸，且包括一第一掺杂区与一基体区，该第一掺杂区位于该基体区上，其中相邻两个半导体鳍状结构之间具有一沟道；形成一第二掺杂区，于这些半导体鳍状结构的这些基体区与这些沟道底部的该衬底中，并延伸到该第二部分的该衬底中；于衬底上形成一电荷储存层，该电荷储存层沿着这些半导体鳍状结构的顶面与侧面共形地形成；在电荷储存层上形成多个字线，每一字线沿着一第二方向延伸，覆盖各这些半导体鳍状结构的部分侧壁与部分顶部，该第二方向与该第一方向不同；形成多个第一接触窗，于该衬底的该第二部分上，且沿着该第一方向排列，每一第一接触窗电性连接该第二掺杂区；以及形成多个第二接触窗，于该衬底的该第一部分上，每一第二接触窗电性连接所对应的该第一掺杂区。