[发明专利]一种氮化物荧光粉的低温等离子体制备方法有效
申请号: | 201410609583.8 | 申请日: | 2014-11-03 |
公开(公告)号: | CN104327850A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 王达健;李广浩;毛智勇;孙涛;宋维伟;卢志娟 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300384 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种氮化物荧光粉的低温等离子制备方法,所述氮化物荧光粉的化学通式为M1-xAlSiN3:xEu2+,其中M为Ca、Sr或Ba,0.005≤x≤0.20,采用碳热还原常压下合成氮化物荧光粉材料,然后再用低温等离子除碳技术去除材料中残留的碳。本发明的优点和积极效果:该氮化物荧光粉的制备方法,制备条件相对简单原料获取容易,除碳工艺高效、节能且能有效保护荧光粉材料不被破坏,极大降低氮化物荧光粉的生产成本、保证材料的发光性能,利于氮化物荧光粉材料在照明和显示领域的推广使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化物 荧光粉 低温 等离子体 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氮化物荧光粉的低温等离子制备方法,其特征在于:所述氮化物荧光粉的化学通式为M1‑xAlSiN3:xEu2+,其中M为Ca、Sr或Ba,0.005≤x≤0.20,采用碳热还原常压下合成氮化物荧光粉材料,然后再用低温等离子除碳技术去除材料中残留的碳,步骤如下:1)将MH2或MO、Si3N4,AlN、Eu2O3和纳米石墨粉根据化学通式按摩尔比混合均匀(纳米石墨粉和M的摩尔比为1:1‑3),然后置于氮化硼坩埚内,在N2、H2体积比为92:8的氮氢混合气还原气氛管式炉中常压下以5‑10℃/min的速度升温至1550℃并保温6h,自然冷却至室温后,得到氮化物荧光粉粗料;2)将上述氮化物荧光粉粗料放入介质阻挡放电低温等离子体设备中,在放电功率为20‑60KW下,等离子体放电区曝照2‑20分钟,得到氮化物荧光粉最终产品。
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