[发明专利]一种石墨烯光阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201410610300.1 | 申请日： | 2014-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN104465264A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 刘雨昊;魏合林;朱大明;任宽;袁利利 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12;C01B31/04 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯光阴极及其制备方法；该石墨烯光阴极由光阴极底座、衬底层、碘化铯薄膜、金膜组成；该石墨烯光阴极的制备方法具体包括如下步骤：S1：采用化学气相沉积法在一定厚度的镍片上生长石墨烯；S2：利用腐蚀液溶解制备石墨烯后的镍片，留下石墨烯；S3：将石墨烯平铺至光阴极底座；S4：利用真空蒸镀法向第3步得到的光阴极底座蒸镀一层碘化铯薄膜；S5：利用磁控溅射法向第4步得到的光阴极底座溅射一层金膜制得石墨烯光阴极。由于石墨烯具有优越的导电性、超高的透光率、良好的光电转换效应以及较强的机械强度，从而极大提高光阴极的透光性、稳定性、光电转换效率、导电性、结构强度、光阴极灵敏度以及宽频带响应平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯光阴极，其结构由下至上依次为：光阴极底座、衬底层、碘化铯薄膜、金膜；其特征在于，所述衬底层材料是石墨烯。
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