[发明专利]一种含咔唑基团的间苯二甲酸荧光化学传感器、制备及其应用有效
申请号: | 201410610704.0 | 申请日: | 2014-11-03 |
公开(公告)号: | CN104447504B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 邱文革;郭崇伟;陈云;何洪 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C07D209/86 | 分类号: | C07D209/86;C09K11/06;G01N21/64 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张慧 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种含咔唑基团的间苯二甲酸荧光化学传感器、制备及其应用,属于有机化学和分析化学领域。荧光化学传感器为该化合物的制备方法包括三步,首先制备N‑(4‑溴丁基)咔唑(4C‑Cz)。4C‑Cz再与5‑羟基间苯二甲酸二乙酯缩合,得到5‑[4‑(9‑咔唑基)丁氧基]‑1,3‑苯二甲酸二乙酯(E1),最后再进行水解即可。该荧光化学传感器可与Fe3+、Cr3+、Cu2+或Pb2+等多种重金属离子发生配位反应,从而实现对重金属离子的选择性检测,其中对Fe3+和Cr3+离子尤为灵敏。本发明的荧光化学传感器具有原料易得,合成方法简单,反应条件易控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 含咔唑 基团 间苯二 甲酸 荧光 化学 传感器 制备 及其 应用 | ||
【主权项】:
含咔唑基团的间苯二甲酸作为荧光化学传感器的应用,含咔唑基团的间苯二甲酸具有如下L1所示的结构式:
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