[发明专利]一种晶硅太阳能电池钝化工艺中的硅片表面处理方法

摘要

本发明公开了一种晶硅太阳能电池钝化工艺中的硅片表面处理方法，该方法通过一定配比的氢氟酸/硫酸/硝酸作为一次处理液和二次处理液，用于电池生产过程的扩散和钝化工艺之间，钝化工艺采用Al2O3单层或Al2O3/SiNX双层钝化膜，本发明进行处理后，可以去除扩散留在硅片表面的磷硅玻璃或硼硅玻璃，并在硅片上形成富含羟基的表面；本发明可以直接用于晶硅太阳能电池的制造生产，为下一步钝化工艺提供优异的硅片表面，从而得到极佳的钝化效果，降低硅片表面复合速度，提高太阳能电池效率。

主权项

一种晶硅太阳能电池钝化工艺中的硅片表面处理方法，其特征在于步骤如下：步骤1，将实施硼扩散工艺之后的硅片放入去BSG湿法化学刻蚀设备中，分别准备一次处理液和二次处理液，所述一次处理液和二次处理液分别准备在1号刻蚀溶液槽和2号刻蚀溶液槽中；所述一次处理液由HF、H2SO4、HNO3按质量百分比10：20~35：5~15的配比形成；所述二次处理液由浓度0.5~3%的HF溶液形成；步骤2，硅片依次经过一次处理液和二次处理液进行刻蚀，经过一次处理液的刻蚀时间为3‑5分钟，经过二次处理液的刻蚀时间为5~6分钟，反应温度均为室温条件；步骤3，最后将硅片进行去离子水冲洗和空气吹干，利用原子层沉积设备制备Al2O3钝化薄膜，然后利用等离子体增强化学气相沉积设备制备SiNX钝化减反射薄膜。