[发明专利]闪存存储器的制作方法

摘要

本发明公开一种闪存存储器的制作方法，特别采用各向同性蚀刻的方式移除介电层，制作方法包含首先提供一鳍状结构，鳍状结构包含一浮置栅极材料层、一氧化层和一半导体层，一绝缘层设置于鳍状结构的两侧，然后形成一介电层顺应地覆盖浮置栅极材料层以及绝缘层，之后形成一图案化第一掩模层、一图案化第二掩模层、一控制栅极由上至下依序堆叠于介电层上，并且控制栅极横跨至少一个鳍状结构，接着进行至少一次的一第一各向同性蚀刻步骤，以浮置栅极材料层和绝缘层作为蚀刻停止层，各向同性移除曝露的介电层，直至介电层被完全移除。

主权项

1.一种闪存存储器的制作方法，包含：提供至少一鳍状结构，该鳍状结构由上至下依序包含一浮置栅极材料层、一氧化层和一半导体层，一绝缘层设置于该鳍状结构的两侧，部分的该浮置栅极材料层突出于该绝缘层，该绝缘层的高度大于该氧化层的高度；形成一介电层顺应地覆盖该浮置栅极材料层以及该绝缘层；形成一图案化第一掩模层、一图案化第二掩模层、一控制栅极由上至下依序堆叠于部分该介电层上，其余部分的该介电层曝露出来，并且该图案化第一掩模层、该图案化第二掩模层和该控制栅极的延伸方向与该鳍状结构的延伸方向彼此垂直；进行至少一次的一第一各向同性蚀刻步骤以移除曝露的该介电层以及部分的该绝缘层，直至曝露的该介电层被完全移除并且曝露其下方的浮置栅极材料层，以及该绝缘层的高度低于该氧化层的高度；以及进行一图案化浮置栅极材料层步骤，该图案化浮置栅极材料层步骤包含移除曝露的该浮置栅极材料层，以形成至少一浮置栅极。