[发明专利]迟滞电压比较器

摘要

本发明公开了一种迟滞电压比较器，包括第一和二PMOS管，两个栅极输入一对差分信号，漏极分别连接第一和二负载MOS管；第三PMOS管和第一NMOS管分别和第一和二负载MOS管的电流呈镜像关系；第三PMOS管和第一NMOS管的漏极连接在一起并作为第一输出端；第一输出端依次连接第一和二CMOS反相器并分别形成第二输出端和第三输出端；第四PMOS开关管连接在第二电流源和第一PMOS管的漏极之间且栅极连接第二输出端；第五PMOS开关管连接在第三电流源和第二PMOS管的漏极之间且栅极连接第三输出端。本发明能采用开关电路实现阈值电压调节，不仅有利用集成，而且迟滞宽度调节方便，应用方便。

主权项

一种迟滞电压比较器，其特征在于，包括：第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极连接在一起且和第一电流源连接；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极作为一对差分信号的输入端；所述第一PMOS管的漏极和第一负载MOS管连接，所述第二PMOS管的漏极和第二负载MOS管连接；第三PMOS管和第一NMOS管，所述第三PMOS管和所述第一负载MOS管的电流呈镜像关系，所述第一NMOS管和所述第二负载MOS管的电流呈镜像关系；所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极连接在一起并作为第一输出端，所述第三PMOS管的源极接电源电压，所述第一NMOS管的源极接地；第一CMOS反相器和第二CMOS反相器，所述第一CMOS反相器的输入端连接所述第一输出端，所述第一CMOS反相器的输出端为第二输出端；所述第二CMOS反相器的输入端连接所述第二输出端，所述第二CMOS反相器的输出端为第三输出端；第四PMOS开关管连接在第二电流源和所述第一PMOS管的漏极之间，所述第四PMOS开关管的栅极连接所述第二输出端；第五PMOS开关管连接在第三电流源和所述第二PMOS管的漏极之间，所述第五PMOS开关管的栅极连接所述第三输出端；所述第四PMOS开关管在所述第一输出端输出高电平时打开并增加所述第一负载MOS管的电流并形成正反馈结构，通过调节所述第四PMOS开关管输入到所述第一负载MOS管中的电流调节迟滞电压比较器的输出电压由高变低的第一阈值电压；所述第五PMOS开关管在所述第一输出端输出低电平时打开并增加所述第二负载MOS管的电流并形成正反馈结构，通过调节所述第五PMOS开关管输入到所述第二负载MOS管中的电流调节所述迟滞电压比较器的输出电压由低变高的第二阈值电压；所述第一负载MOS管包括第二NMOS管、第三NMOS管和第六PMOS管；所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极接地；所述第三NMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的栅极和漏极，所述第三NMOS管的源极接地；所述第六PMOS管的漏极和栅极连接所述第三NMOS管的漏极以及所述第三PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的源极接电源电压；所述第二负载MOS管包括第四NMOS管，所述第四NMOS管的栅极和漏极连接所述第二PMOS管的漏极以及所述第一NMOS管的栅极，所述第四NMOS管的源极接地。