[发明专利]垂直非易失性存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供了垂直非易失性存储装置及其制造方法。其中一种垂直非易失性存储装置包括：栅电极，在垂直于基板的上表面的第三方向上堆叠在基板的第一区域中，该基板包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；沟道，在第三方向上延伸穿过栅电极；导电焊盘，在第二区域中在平行于基板的上表面的第一方向上分别从栅电极延伸；绝缘焊盘，在第二区域中在垂直于第一方向的第二方向上分别从栅电极和导电焊盘延伸；接触插塞，分别电连接到导电焊盘；以及第一参考结构，在第二区域中且在绝缘焊盘中的至少一个绝缘焊盘下面。

主权项

一种垂直非易失性存储装置，包括：基板，具有既在第一方向又在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的上表面，所述基板包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；多个栅电极，在第三方向上堆叠在所述基板的所述第一区域中，所述第三方向基本上垂直于所述第一方向和所述第二方向两者；沟道，在所述第三方向上延伸穿过所述栅电极；导电焊盘，在所述基板的所述第二区域中，所述导电焊盘中的各个导电焊盘在所述第一方向上从相应的栅电极延伸；绝缘焊盘，在所述基板的所述第二区域中，所述绝缘焊盘中的各个绝缘焊盘在所述第二方向上从相应的栅电极延伸；多个接触插塞，所述多个接触插塞中的各个接触插塞电连接到相应的导电焊盘；以及第一参考结构，在所述基板的所述第二区域中且在至少一个所述绝缘焊盘下面。