[发明专利]真空环境中器件图形化制备方法在审
| 申请号： | 201410613579.9 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105632899A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王荣新;李智 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 真空环境中器件图形化制备方法，包括以下步骤：将衬底置于真空环境中；在衬底上设有用于制备器件图形的掩膜板；掩膜板连接用于操作掩膜板的移动平台；移动平台将掩膜板定位在衬底上；采用物理气相沉积方式在衬底上沉积器件材料。本发明还提供复杂器件图形化制备方法，在衬底区域分别沉积形成第1类器件图形、第2类器件图形、…、第n类器件图形，以上第1类、第2类、…、第n类器件图形之间组合、叠加形成复杂器件图形。本发明提供的真空环境中器件图形化制备方法，具有工艺简单、提高器件制备的性能、避免器件表面污染和防止结构损伤的特点，而且，通过多次沉积，可制备复杂器件图形，提升器件功能。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 环境 器件 图形 制备 方法 | ||
【主权项】：
真空环境中器件图形化制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将衬底(110)置于真空环境中；(2)在所述衬底(110)上设有用于制备器件图形(122)的掩膜板(120)；(3)所述掩膜板(120)或所述衬底(110)连接用于移动操作的移动平台；(4)所述移动平台将掩膜板(120)定位在衬底(110)上；(5)采用物理气相沉积方式在衬底(110)上沉积器件所需薄膜材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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