[发明专利]铜蚀刻液及其制备方法和应用、铜蚀刻方法有效
| 申请号： | 201410613863.6 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105624679B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 董艳;王逸群;王洋洋;冯海通 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C23F1/34 | 分类号： | C23F1/34 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜蚀刻液及其制备方法，所述铜蚀刻液是含有质量浓度10g/L～15g/L的亚氯酸钠、质量浓度50g/L～70g/L的碳酸氢铵和体积浓度10mL/L～60mL/L的氨水的水溶液；该铜蚀刻液的制备方法包括步骤：A、在蚀刻液槽中加入预定量的水；B、向其中加入预定量的亚氯酸钠和碳酸氢铵，并充分溶解；及C、向步骤B得到的溶液中加入预定量的氨水，混合均匀得到所述铜蚀刻液。本发明还公开了该铜蚀刻液蚀刻铜的方法及其在半导体和微机电系统的制造及封装中的应用，该铜蚀刻液蚀刻铜的方法为将蚀刻对象物与所述铜蚀刻液接触。所述铜蚀刻液克服了干法蚀刻及其他蚀刻液蚀刻铜存在的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 铜蚀刻液 蚀刻 碳酸氢铵 氨水 亚氯酸钠 制备 制备方法和应用 蚀刻对象物 微机电系统 干法蚀刻 蚀刻液槽 蚀刻液 铜蚀刻 半导体 封装 溶解 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种铜蚀刻液，其特征在于，所述铜蚀刻液用于蚀刻含有金属铜或铜的氧化物，以及金属钛、金、锡及所述金属钛、金、锡的氧化物中的至少一种的蚀刻对象物；所述铜蚀刻液是含有亚氯酸钠、碳酸氢铵和氨水的水溶液，其中，在所述铜蚀刻液中，所述亚氯酸钠的质量浓度为10g/L～15g/L，所述碳酸氢铵的质量浓度为50g/L～70g/L，所述氨水的体积浓度为10mL/L～60mL/L，其余为水。
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