[发明专利]改善异方性导电粒子聚集之导电接合结构在审
申请号: | 201410614093.7 | 申请日: | 2014-11-03 |
公开(公告)号: | CN104362449A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 曾启源;陈彦华 | 申请(专利权)人: | 业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | H01R13/02 | 分类号: | H01R13/02;H01R12/65 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518109 广东省深圳市龙华新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善异方性导电粒子聚集之导电接合结构,包括有一第一基体、一第二基体与一异方性导电层。其中,第一基体与第二基体上是各自具有至少一第一焊垫与第二焊垫,异方性导电层是连接于该第一、第二焊垫之间,使得第一基体与第二基体可藉由该异方性导电层接合在一起。其中,该第一与第二基体之接合处是设有至少一凹陷,使得异方性导电层可进入该凹陷,藉此避免异方性导电层中之导电粒子聚集于该第一基体或第二基体之边缘,解决习见相邻焊垫容易因溢胶而形成短路之问题。 | ||
搜索关键词: | 改善 异方性 导电 粒子 聚集 接合 结构 | ||
【主权项】:
一种改善异方性导电粒子聚集之导电接合结构,其特征在于,所述导电接合结构包括:一第一基体,其上设置有至少一第一焊垫;一第二基体,其上设置有至少一第二焊垫;以及一异方性导电层,连接于该第一基体之该第一焊垫与该第二基体之该第二焊垫之间,使得该第一基体可藉由该异方性导电层接合于该第二基体;其中,该第一基体与该第二基体之接合处是设有至少一凹陷,使该异方性导电层进入该凹陷,并避免该异方性导电层中之导电粒子聚集于该第一基体或该第二基体之边缘。
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