[发明专利]一种超薄硅片的切割方法

摘要

本发明公开了一种超薄硅片的切割方法，其包括如下步骤：(1)粘棒；(2)配制冷却液；(3)上料；(4)切割预热；(5)切割；(6)下料。本发明的优点在于，通过提升主切速度缩短单晶切片时间，在保证单晶切片几何参数的基础上，通过使用较小直径的金刚石切割线可以提升单晶切片的出片率，从而降低硅片加工成本。

主权项

一种超薄硅片的切割方法，其包括如下步骤：(1)粘棒；(2)配制冷却液；(3)上料；(4)切割预热；(5)切割；(6)下料；其特征在于，所述步骤(1)配制冷却液：冷却液由电导率为1～5μs/cm去离子水和水溶性冷却液混合配制而成，配制成的所述冷却液的体积比浓度为0.15％～0.2％；所述步骤(5)切割：切割钢线采用线芯直径为70～80μm，颗粒粒径为6～12μm的电镀金刚线；设定硅片目标厚度120～140μm，多线切割机主辊布线槽槽距205～215μm，槽深280～300μm，槽夹角25°～35°；所述切割钢线张力设定为20～22N，单片用线量为0.7～1.0m/pcs，主切割速度为1～1.2mm/min，进行双向切割；整个切割过程中，保证所述冷却液流量稳定在180～220L/min；所述步骤(6)下料：切割完成后，进给台以30～40mm/min慢速上升，进给台完全升起后，下料进行硅片脱胶处理。