[发明专利]硫和银共掺杂p型氧化锌光电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410614869.5 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104409337B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 何丹农;卢静;李争;尹桂林;葛美英 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海东方易知识产权事务所31121 | 代理人： | 唐莉莎 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种硫和银共掺杂p型氧化锌光电薄膜的制备方法，采用磁控溅射和热氧化技术制备，将磁控溅射腔抽到真空环境下，并加热经严格清洗的基底，使用纯度大于99.99%的硫化锌靶材和银靶，用双靶共同溅射的方法沉积ZnSAg薄膜；将获得的ZnSAg放置在氧气气氛下热氧化处理。本发明涉及的制备方法，参数易控，可重复性高，可实现掺杂浓度的控制，适用产业化生产环境。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化锌 光电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硫和银共掺杂p型氧化锌光电薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射和热氧化技术制备，包括以下步骤：（1）将磁控溅射腔抽到真空环境下，并加热经严格清洗的基底，使用纯度大于99.99%的硫化锌靶材和银靶，用双靶共同溅射的方法沉积ZnS：Ag薄膜；（2）将步骤（1）中获得的ZnS:Ag放置在氧气气氛下热氧化处理；采用磁控溅射制备环境初始真空度不低于10‑4数量级，通入的氩气流量应控制在50‑100sccm，溅射气压在3‑5Pa，基底温度为250‑350℃；在富氧环境下进行热氧化处理时，其温度为600‑1000℃，热氧化时间为4‑10小时；通过调整ZnS和Ag的溅射功率可以获得不同比例的ZnS:Ag薄膜，其中硫化锌靶材的溅射功率控制在50‑100W，银靶靶材的溅射功率在5‑20W。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
