[发明专利]一种纳米图形底衬的制作方法有效
| 申请号： | 201410615131.0 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104393122A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 周雅慧;郭明灿;郭文平;许南发 | 申请（专利权）人： | 山东元旭光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261031 山东省潍坊市高新区玉清街*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米图形底衬的制作方法包括以下步骤在衬底上沉积一层SiO2膜；在SiO2膜上涂布一层光刻胶；采用晶格光栅相干光刻的方法，光刻胶在激光照射下得到均匀分布的光掩膜图形阵列；采用湿法腐蚀将所述光掩膜图形阵列阵转移到SiO2膜上，所述湿法腐蚀使所述光掩膜图形的棱角平滑；采用湿法腐蚀在Al2O3层腐蚀所述光掩膜图形，在湿法腐蚀过程中延晶相进行刻蚀，所述光掩膜图形表面的Al2O3结构保持原晶格结构；去除SiO2膜，再进行湿法腐蚀，经过2-5次湿法腐蚀后得到多层面Al2O3锥形结构。本发明减少了外延的缺陷，提高内量子效率；同时有效的提高光萃取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 图形 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米图形底衬的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、在蓝宝石衬底上沉积一层SiO2膜；S20、在所述SiO2膜上涂布一层光刻胶；S30、采用晶格光栅相干光刻的方法，让激光照射在所述光刻胶上，得到均匀分布的光掩膜图形阵列；S40、利用湿法腐蚀，将所述光掩膜图形阵列转移到SiO2膜上，湿法腐蚀使所述光掩膜图形阵列的棱角平滑，得到SiO2图形阵列；S50、去除SiO2膜，采用湿法腐蚀，将所述SiO2图形阵列转移到所述蓝宝石衬底上面；所述SiO2图形阵列在腐蚀过程中延晶相进行刻蚀，得到Al2O3图形阵列，所述Al2O3图形表面的Al2O3结构保持原晶格结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东元旭光电有限公司，未经山东元旭光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410615131.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有圆周槽的压缩机盖件
- 下一篇：煤层气车载钻机孔深在线测量装置及方法
